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  • 参数资料
    型号: IXGH20N100U1
    英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247
    中文描述: 晶体管| IGBT的|正陈| 1KV交五(巴西)国际消费电子展|第36A一(c)|至247
    文件页数: 1/2页
    文件大?。?/td> 119K
    代理商: IXGH20N100U1
    相关PDF资料
    PDF描述
    IXGH20N30S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD
    IXGH20N50U1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247
    IXGH20N60AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247AD
    IXGH20N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD
    IXGH20N60BU1S TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247VAR
    相关代理商/技术参数
    参数描述
    IXGH20N120 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
    IXGH20N120A3 功能描述:IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
    IXGH20N120B 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V 3.40 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
    IXGH20N120BD1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V 3.40 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
    IXGH20N120IH 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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